©2000 仙童 半导体 国际 rev. 一个, 二月 2000
KSD882
npn 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
* pw
≤
10ms, 职责 循环
≤
50%
电气 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2% 脉冲
h
铁
Classificntion
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器- 底座 电压 40 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 30 v
v
EBO
发射器- 底座 电压 5 v
我
c
收集器 电流 (直流) 3 一个
我
cp
*collector 电流 (脉冲) 7 一个
我
B
底座 电流 0.6 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 10 w
p
c
收集器 耗散 (t
一个
=25
°
c) 1 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 55 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
= 30v, 我
e?
= 0 1
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= 3v, 我
c
= 0 1
µ
一个
h
FE1
h
FE2
*dc 电流 增益 v
ce
= 2v, 我
c
= 20ma
v
ce
= 2v, 我
c
= 1a
30
60
150
160 400
v
ce
(sat) *collector-发射器 饱和度 电压 我
c
= 2a, 我
B
= 0.2a 0.3 0.5 v
v
是
(sat) *base-发射器 饱和度 电压 我
c
= 2a, 我
B
= 0.2a 1.0 2.0 v
f
t
电流 增益 带宽 产品 v
ce
= 5v, 我
e?
= 0.1a 90 MHz
c
ob
输出 电容 v
cb
= 10v, 我
e?
= 0
f = 1mhz
45 pf
分类 右 o y g
h
FE2
60 ~ 120 100 ~ 200 160 ~ 320 200 ~ 400
KSD882
音频 频率 电源 放大器
低 速度 开关
• 补码 至 ksb772
1
至-126
1. 发射器 2.收集器 3.底座
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