©2002 仙童 半导体 公司 rev. a4, october 2002
ksh32/32c
pnp 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 : ksh32
: ksh32c
- 40
- 100
v
v
v
CEO
集电极-发射极 电压 : ksh32
: ksh32c
- 40
- 100
v
v
v
EBO
发射器-底座 电压 - 5 v
我
c
收集器 电流 (直流) - 3 一个
我
cp
收集器 电流 (脉冲) - 5 一个
我
B
底座 电流 - 1 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 15 w
收集器 耗散 (t
一个
=25
°
c) 1.56 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 最大值 单位
v
CEO
(sus) * 集电极-发射极 维持 电压
: ksh32
: ksh32c
我
c
= - 30ma, 我
B
= 0 -40
-100
v
v
我
CEO
收集器 截止 电流
: ksh32
: ksh32c
v
ce
= - 40v, 我
B
= 0
v
ce
= - 60v, 我
B
= 0
-50
-50
µ
一个
µ
一个
我
消费电子展
收集器 截止 电流
: ksh32
: ksh32c
v
ce
= - 40v, v
是
= 0
v
ce
= - 100v, v
是
= 0
-20
-20
µ
一个
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
是
= - 5v, 我
c
= 0 -1 ma
h
铁
* 直流 电流 增益 v
ce
= - 4v, 我
c
= - 1a
v
ce
= - 4v, 我
c
= - 3a
25
10 50
v
ce
(sat) * 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
= - 3, 我
B
= - 375ma -1.2 v
v
是
(开启) * 基极-发射极 开启 电压 v
ce
= - 4a, 我
c
= - 3a -1.8 v
f
t
电流 增益 带宽 产品 v
ce
= -10v, 我
c
= - 500ma 3 MHz
ksh32/32c
概述 目的 放大器 低 速度
开关 应用程序
d-pak 用于 表面 安装 应用程序
• 铅 成型 用于 表面 安装 应用程序 (否 后缀)
• 直线 铅 (我-pak, “- i” 后缀)
• 电气 类似 至 受欢迎 tip32 和 tip32c
1.底座 2.收集器 3.发射器
d-pak 我-pak
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