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单独 已结束
S08
40.0
2.0
50.0
2.50 c/w
40
1.7
13.00
2.0
45
0.40
8.00
8.0
60
0.20
36
参数符号 最小 典型值 最大值 单位 测试一下 条件
普通 来源 电源 增益
排水管 效率
合计
设备
耗散
接合点 至
案例 热
电阻
最大值
接合点
温度
存储
温度
直流 排水管
电流
排水管 至
来源
电压
闸门 至
来源
电压
-65 c 至 150 cc 一个 v
荷载 不匹配 公差VSWR
排水管 至
闸门
电压
20:1 相对
0.40
0.20ids = ma, vgs = 0v
v, vgs = 0v
Ciss
Crss
Coss
vds =
idq = 一个, vds = v, f =
0.40
Bvdss
Idss
排水管 击穿 电压
v
ma
pf
pf
pf
普通 来源 输出 电容
普通 来源 反馈 电容
idq =
idq = 0.40
500
vgs = 20v, ids =Rdson 饱和度 电阻
前进 跨导通用汽车 vds = 10v, vgs = 5v
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax: (805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
500
500
普通 来源 输入 电容
36 v
Igss
Vgs
Idsat
零 偏差 排水管 电流
闸门 泄漏 电流
闸门 偏差 用于 排水管 电流
饱和度 电流
1 7
ua
v
mho
欧姆
放大器
参数符号 最小 典型值 最大值 单位 测试一下 条件
电气 特性 ( 每个 侧面 )
rf 特性 (
15.0
绝对 最大值 额定值 ( t =
Gps
12.5
一个, vds = v, f =
一个, vds = v, f =
12.5
12.5
瓦特 v
1
MHz
MHz
MHz
瓦特
包装 风格
15.0
vds = 0v vgs = 30v
vgs = 20v, vds = 10v
高 效率, 线性
高 增益, 低 噪声
概述 描述
12.5
vds =
一个, vgs = vdsids =
一个
η
db
%
o
o
oo
o
硅 vdmos 和 ldmos
晶体管 设计 具体而言
用于 宽带 rf 应用程序.
适合 用于 militry 收音机,
细胞 和 分页 放大器 底座
车站, 广播 调频/上午, mri,
激光 驾驶员 和 其他.
"polyfet" 流程 特点
低 反馈 和 输出 电容
结果 入点 高 f 晶体管 与 高
输入 阻抗 和 高 效率.
tm
t
硅 闸门 增强功能 模式
rf 电源 晶体管LDMOS
vgs = 0v, f = 1 mhz12.5
vds =
vgs = 0v, f = 1 mhz12.5
vds =
vgs = 0v, f = 1 mhz12.5
修订 12/12/2001
p
20
25 c )
瓦特 输出 )
150
polyfet rf 设备
L8721P
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