1/63将 2003
m58bw016bt, m58bw016bb
m58bw016dt, m58bw016db
16 mbit (512kb x32, 激励 块, burst)
3v 供应 flash memories
pe4features summary
■
供应 电压
–V
DD
= 2.7v 至 3.6v 为 程序, 擦掉 和
读
–V
DDQ
= v
DDQIN
= 2.4v 至 3.6v 为 i/o 缓存区
–V
PP
= 12v 为 快 程序 (optional)
■
高 效能
– 进入 时间: 80, 90 和 100ns
– 56mhz 有效的 零 wait-状态 burst 读
– 同步的 burst 读
– 异步的 页 读
■
硬件 块 保护
–W
P管脚 锁 程序 和 擦掉
■
软件 块 保护
– tuning 保护 至 锁 程序 和
擦掉 和 64 位 用户 可编程序的 通过-
文字 (m58bw016b 版本 仅有的)
■
优化 为 fdi 驱动器
– 快 程序 / 擦掉 suspend latency
时间 < 6µs
– 一般 flash 接口
■
记忆 blocks
– 8 参数 blocks (顶 或者 bottom)
– 31 主要的 blocks
■
低 电源 消耗量
– 5µa 典型 深的 电源 向下
– 60µa 典型 备用物品
– 自动 备用物品 之后 异步的 读
■
电子的 signature
– 生产者 代号: 20h
– 顶 设备 代号 m58bw016xt: 8836h
– bottom 设备 代号 m58bw016xb: 8835h
图示 1. 包装
BGA
lbga80 (za)
10 x 8 球 排列
pqfp80 (t)
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