1/9March 2004
■
高 速度:
t
pd
= 8ns (典型值.) 在 v
抄送
=6V
■
低 电源 耗散:
我
抄送
=4
µ
一个(最大值.) 在 t
一个
=25°C
■
高 噪声 免疫:
v
NIH
=V
NIL
= 28% v
抄送
(最小.)
■
对称 输出 阻抗:
|I
哦
|=I
ol
=6ma(最小)
■
平衡式 传播 延误:
t
PLH
≅
t
PHL
■
宽 操作 电压 范围:
v
抄送
(opr) = 2V 至 6V
■
管脚 和 功能 兼容 与
54 系列 125
■
空间 等级-1: ESA SCC 合格
■
50 克拉 合格, 100 克拉 可用 开启
请求
■
否 选择 下 高 让 重型 离子
辐照
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设备 完全 符合 与
scc-9401-039
描述
这 M54HC125 是 一个 高 速度 CMOS 四边形
缓冲区 (3-州) 预制 与 硅 闸门
c
2
mos 技术.
这 设备 需要 这 3-州 控制 输入 g
至 是 设置 高 至 地点 这 输出 进入 这 高
阻抗 州.
全部 输入 是 配备 与 保护 电路
反对 静态 放电 和 瞬态 超额
电压.
M54HC125
rad-硬 四边形 总线 缓冲区 (3-州)
管脚 连接
订单 代码
包装 调频 em
DILC M54HC125D M54HC125D1
FPC M54HC125K M54HC125K1
dilc-14 fpc-14
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