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¡ 半导体
msm511000c/cl
描述
这 msm511000c/cl 是 一个 1,048,576-字
¥
1-有点 动态 ram 预制 入点 oki's 硅栅
cmos 技术. 这 msm511000c/cl 达到 高 集成, 高速 操作, 和
低功耗 消费 因为 oki 制造商 这 设备 入点 一个 四联-图层 多晶硅/
单层 金属 cmos 流程. 这 msm511000c/cl 是 可用 入点 一个 26/20-管脚 塑料 soj 或
20-管脚 塑料 zip. 这 msm511000cl (这 低功耗 版本) 是 特别 设计 用于 lower-
电源 应用程序.
特点
• 1,048,576-字
¥
1-有点 配置
• 单独 5 v 电源 供应,
±
10% 公差
• 输入 : ttl 兼容, 低 输入 电容
• 输出 : ttl 兼容, 3-州
• 刷新 : 512 循环次数/8 ms, 512 循环次数/64 ms (l-version)
• 快 第页 模式, 阅读 修改 写 能力
•
cas
之前
ras
刷新, 隐藏 刷新,
ras
-仅 刷新 能力
• 包装 选项:
26/20-管脚 300 密耳 塑料 soj (soj26/20-p-300-1.27) (产品 : msm511000c/cl-xxjs)
20-管脚 400 密耳 塑料 zip (zip20-p-400-1.27) (产品 : msm511000c/cl-xxzs)
xx 表示 速度 等级.
产品 家庭
¡ 半导体
msm511000c/cl
1,048,576-字
¥
1-有点 动态 ram : 快 第页 模式 类型
msm511000c/cl-50
50 ns
100 ns
120 ns
440 mw
385 mw
5.5 mw/
家庭
访问权限 时间 (最大值.)
循环 时间
(最小.)
备用 (最大值.)
电源 耗散
msm511000c/cl-60
t
RAC
60 ns
26 ns
t
AA
30 ns
14 ns
t
CAC
15 ns
msm511000c/cl-45
45 ns
90 ns 468 mw
24 ns 14 ns
操作 (最大值.)
1.1 mw (l-版本)
130 ns 330 mwmsm511000c/cl-70
70 ns 35 ns 20 ns
e2g0009-17-41
这个 版本: jan. 1998
上一个 版本: 将 1997
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