九月1997
NDP6020P/ ndb6020p
p沟道 逻辑 水平增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述 特点
________________________________________________________________________________
绝对 最大值 额定值
t
c
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 NDP6020P NDB6020P 单位
v
DSS
漏源 电压 -20 v
v
GSS
栅极-源极 电压- 连续 ±8 v
我
d
排水管 电流 - 连续 -24 一个
- 脉冲 -70
p
d
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c
60 w
降额 以上 25
°
c 0.4 w/
°
c
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -65 至 175 °C
ndp6020p rev.c1
-24一个, -20v. 右
ds(开启)
= 0.05
Ω
@ v
gs
= -4.5v.
右
ds(开启)
= 0.07
Ω
@ v
gs
= -2.7v.
右
ds(开启)
= 0.075
Ω
@ v
gs
= -2.5v.
关键 直流 电气 参数 指定 在 高架
温度.
坚固耐用 内部 源极-漏极 二极管 可以 消除 这 需要
用于 一个 外部 齐纳 二极管 瞬态 抑制器.
175°c 最大值 接合点 温度 评级.
高 密度 细胞 设计用于 极其 低 右
ds(开启)
.
至-220 和 至-263 (d
2
pak) 包装 用于 两者都有 通过
孔 和 表面 安装 应用程序.
这些 逻辑 水平 p沟道 增强功能 模式 电源 字段
效果 晶体管 是 生产 使用 仙童's 专有,
高 细胞 密度, dmos 技术. 这个 很 高 密度
流程 有 被 尤其是 量身定制 至 最小化 开启状态
电阻, 提供 上级 开关 业绩, 和
承受 高 能源 脉冲 入点 这 雪崩 和
换向 模式. 这些 设备 是 特别是 适合 用于
低 电压 应用程序 这样的 作为 汽车, 直流/直流
转换器, pwm 电机 控件, 和 其他 蓄电池 通电
电路 在哪里 快 开关, 低 在线 电源 损失, 和
电阻 至 瞬变 是 需要.
d
s
g
© 1997 仙童 半导体 公司
: 点此下载
