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资料编号:513396
 
资料名称:NDC7002N
 
文件大小: 258.25K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
March1996
NDC7002N
双 n-频道增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述 特点
____________________________________________________________________________________________
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 NDC7002N 单位
v
DSS
漏源 电压 50 v
v
GSS
栅极-源极 电压- 连续 20 v
d
排水管 电流 - 连续 (备注 1a) 0.51 一个
- 脉冲 1.5
p
d
最大值电源 耗散(备注 1a) 0.96 w
(备注 1b)
0.9
(备注 1c)
0.7
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热 特性
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境(备注 1a) 130 °c/w
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体(备注 1) 60 °c/w
ndc7002n.山姆
0.51一个, 50v, 右
ds(开启)
= 2
@ v
gs
=10V
高 密度 细胞 设计 用于 低 右
ds(开启)
.
专有 supersot
tm
-6 包装 设计 使用 铜
铅 框架 用于 上级 热 和 电气 能力.
高 饱和度 电流
.
1
5
4
6
3
2
sot-6 (supersot
tm
-6)
这些 双 n-频道 增强功能 模式 电源 字段
效果 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专有, 高 细胞 密度, dmos 技术. 这个
很 高 密度 流程 有 被 设计 至 最小化
开启状态 电阻, 提供 坚固耐用 和 可靠
业绩 和 快 开关.这些 设备 是
特别是 适合 用于 低 电压 应用程序 要求 一个
低 电流 高 侧面 开关.
© 1997 仙童 半导体 公司
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