april 1995
NDF0610/NDS0610
p-频道增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述 特点
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NDF0610
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 NDF0610 NDS0610 单位
v
DSS
漏源 电压 -60 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 (右
gs
&指示灯;1 m
Ω
)
-60 v
v
GSS
栅极-源极 电压- 连续 ±20 v
- 非重复性 (t
p
&指示灯; 50 µs) ±30 v
我
d
排水管 电流 - 连续 -0.18 -0.12 一个
- 脉冲 -1
p
d
最大值电源 耗散 t
一个
= 25
°
c 0.8 0.36 w
降额 以上 25
°
c 5 2.9 mw/
o
c
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
t
l
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/16" 从 案例 用于 10 秒
300 °C
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 200 350 °c/w
nds0610.山姆
这些 p-channel 增强功能 模式 电源 字段 效果
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专有, 高
细胞 密度, dmos 技术. 这个 很 高 密度
流程 有 被 设计 至 最小化 开启状态 电阻,
提供 坚固耐用 和 可靠 业绩 和 快 开关.
他们 可以 是 已使用, 与 一个 最小值 的 努力, 入点 大多数
应用程序 要求 向上 至 180ma 直流 和 可以 交付
脉冲 电流 向上 至 1a. 这个 产品 是 特别是 适合
至 低 电压 应用程序 要求 一个 低 电流 高 侧面
开关.
-0.18 和 -0.12a, -60v. 右
ds(开启)
= 10
Ω
电压 受控 p沟道 小 信号 开关
高 密度 细胞 设计 用于 低 右
ds(开启)
至-92 和 sot-23 软件包 用于 两者都有 通过 孔 和
表面 安装 应用程序
高 饱和度 电流
g
d
s
sot-23
nds0610
s
d
g
© 1998 仙童 半导体 公司
s
g
d
至-92
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