NDS9933A
nds9933a rev. 一个
NDS9933A
双 p沟道 增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述
这个 p沟道 增强功能 模式 电源 字段 ef-
功能 晶体管 是 生产 使用 仙童’s 具有-
电子, 高 细胞 密度, dmos 技术. 这个 很
高 密度 流程 是 尤其是 量身定制 至 迷你-
米泽 开启状态 电阻 和 提供 上级
开关 业绩.
这些 设备 是 特别是 适合 用于 低 电压
apllications 这样的 作为 直流 电机 控制 和 直流/
直流 换算 在哪里 快 开关,低 在线
电源 损失, 和 电阻 至 瞬变 是
需要.
january 1999
特点
•
-2.8 一个, -20 v. 右
ds(开启)
= 0.14
Ω
@ v
gs
= -4.5 v
右
ds(开启)
= 0.19
Ω
@ v
gs
= -2.7 v
右
ds(开启)
= 0.20
Ω
@ v
gs
= -2.5 v.
•
高 密度 细胞 设计 用于 极其 低 右
ds(开启)
.
•
高 电源 和 电流 搬运 能力 入点 一个
广泛 已使用 表面 安装 包装.
1999 仙童 半导体 公司
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 NDS9933A 单位
v
DSS
漏源 电压 -20 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
8V
我
d
排水管 电流 - 连续
(备注 1a)
-2.8 一个
- 脉冲 -10
电源 耗散 用于 双 操作 2
电源 耗散 用于 单独 操作
(备注 1a)
1.6
(备注 1b)
1
p
d
(备注 1c)
0.9
w
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 -55 至 +150
°
c
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
78
°
c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
40
°
c/w
包装 概述 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
NDS9933A NDS9933A 13’’ 12mm 2500 单位
•
双 场效应晶体管 入点 表面 安装 包装.
1
5
7
8
2
3
4
6
所以-8
D1
D1
D2
D2
S1
G1
S2
G1
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