TLD10750
NM93CS06CS46CS56CS66 (microwire 总线 接口)
256-1024-2048-4096-位 串行 可擦可编程只读存储器 和 数据 保护 和 Sequential 读
8月 1994
NM93CS06CS46CS56CS66
(microwire
TM
总线 接口) 256-1024-2048-4096-位
串行 可擦可编程只读存储器 和 数据 保护 和 Sequential 读
一般 描述
这 NM93CS06CS46CS56CS66 设备 是 256
102420484096 bits respectively 的 CMOS 非-易变的
用电气 可擦掉的 记忆 分隔 在 1664128
256 16-位 registers 选择 寄存器 能 是 保护
相反 数据 修改 用 程序编制 这 保护 reg-
ister 和 这 地址 的 这 第一 寄存器 至 是 保护
相反 数据 修改 (所有 寄存器 更好 than 或者 equal
to 这 选择 地址 是 然后 保护 从 更远
改变) Additionally 这个 地址 能 是 ‘‘locked’’ 在 这
device 制造 所有 future attempts 至 改变 数据 impossi-
ble 这些 设备 是 fabricated 使用 国家的 semicon-
ductor floating-门 CMOS 处理 为 高 reliability 高
忍耐力 和 低 电源 consumption 这 NM93CSXX
家族 是 offered 在 一个 所以 包装 为 小 空间 consid-
erations
这 可擦可编程只读存储器 接合 是 MICROWIRE 兼容 pro-
viding 简单的 接合 至 标准 微控制器 和
microprocessors 那里 是 一个 总的 的 10 instructions 5
这个 运作 在 这 可擦可编程只读存储器 memory 和 5 这个 oper-
ate 在 这 保护 Register 这 记忆 说明 是
READ WRITE 写 ALL 写 ENABLE 和 写
DISABLE 这 保护 寄存器 说明 是 PRREAD
PRWRITE PRENABLE PRCLEAR 和 PRDISABLE
特性
Y
写 保护 在 一个 用户 定义 部分 的 记忆
Y
Sequential 寄存器 读
Y
典型 起作用的 电流 的 400
m
一个 和 备用物品 电流 的
25
m
一个
Y
非 擦掉 必需的 在之前 写
Y
可依靠的 CMOS floating 门 技术
Y
MICROWIRE 兼容 串行 IO
Y
自 安排时间 写 循环
Y
设备 状态 在 程序编制 模式
Y
40 年 数据 保持
Y
Endurance 10
6
数据 改变
Y
45V 至 55V 运作 在 所有 模式 的 运作
Y
包装 available 8-管脚 SO 8-管脚 插件
块 图解
TLD10750–1
触发-状态
是 一个 注册 商标 的 国家的 半导体 Corporation
MICROWIRE
TM
是 一个 商标 的 国家的 半导体 Corporation
C
1995 国家的 半导体 公司 rrd-b30m75printed 在 U S A
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