半导体 组件 行业, llc, 2004
8月, 2004 − rev. 4
1
出版物 订单 号码:
ntd3055l104/d
NTD3055L104
电源 场效应晶体管
12 安培数, 60 伏特, 逻辑 水平
n−channel dpak
设计 用于 低 电压, 高 速度 开关 应用程序 入点
电源 供应品, 转换器 和 电源 电机 控件 和 桥梁
电路.
特点
•
pb−free 软件包 是 可用
•
下部 右
ds(开启)
•
下部 v
ds(开启)
•
更紧 v
sd
规格
•
下部 二极管 反向 回收 时间
•
下部 反向 回收 已存储 费用
典型 应用程序
•
电源 供应品
•
转换器
•
电源 电机 控件
•
桥梁 电路
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
60 Vdc
drain−to−gate 电压 (右
gs
= 10 m
) v
DGR
60 Vdc
gate−to−source 电压, 连续
− non−repetitive (t
p
10 ms)
v
gs
v
gs
15
20
Vdc
排水管 电流
− 连续 @ t
一个
= 25
°
c
− 连续 @ t
一个
= 100
°
c
− 单独 脉冲 (t
p
10
s)
我
d
我
d
我
dm
12
10
45
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c (备注 1)
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c (备注 2)
p
d
48
0.32
2.1
1.5
w
w/
°
c
w
w
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−55 至
+175
°
c
单独 脉冲 drain−to−source 雪崩
能源 − 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 25 vdc, v
gs
= 5.0 vdc, l = 1.0 mh
我
l(pk)
= 11 一个, v
ds
= 60 vdc)
e?
作为
61 mJ
热 电阻, − junction−to−case
− junction−to−ambient (备注 1)
− junction−to−ambient (备注 2)
右
jc
右
ja
右
ja
3.13
71.4
100
°
c/w
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒
t
l
260
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 受影响.
1. 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 1
″
衬垫 尺寸,
(铜 面积 1.127 入点
2
).
2. 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 这 最小值 推荐
衬垫 尺寸, (铜 面积 0.412 入点
2
).
N−Channel
d
s
g
60 v 104 m
右
ds(开启)
典型值
12 一个
我
d
最大值v
(br)dss
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启 第页 2 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
1
闸门
3
来源
2
排水管
4
排水管
DPAK
案例 369c
风格 2
标记
图表
1
2
3
4
1
闸门
3
来源
2
排水管
4
排水管
DPAK−3
案例 369d
风格 2
1
2
3
4
AYw
55L104
AYw
55L104
55L104 = 设备 代码
一个 = 总成 位置
y = 年份
w = 工作 周
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