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双 频道 光电晶体管
小 大纲 表面 安装
光耦合器
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© 2003 仙童 半导体 公司
mocd211-m
发射器 1
收集器 1
阳极 1
阴极 1
1
2
3
4
5
6
7
8
发射器 2
收集器 2
阳极 2
阴极 2
描述
这 mocd211-m 设备 由 的 两个 镓 砷化物 红外线 发射 二极管 光学 耦合 至
两个 单片 硅 光电晶体管 探测器, 入点 一个 表面 可安装, 小 大纲 塑料 包装. 它
是 理想情况下 适合 用于 高 密度 应用程序 和 消除 这 需要 用于 通过-这-板 安装.
特点
•U.l. 公认的 (文件 #e90700, 体积 2)
• vde 公认的 (文件 #136616) (添加 选项 “v” 用于 vde 批准, i.e, mocd211v-m)
• 最小值 bv
CEO
的 30 伏特 保证
• 标准 soic-8 占地面积, 与 0.050" 铅 间距
• 兼容 与 双 波浪, 蒸气 相位 和 红外线 重新 焊接
• 高 输入-输出 隔离 的 2500 v
交流电(rms)
保证
• 紧凑型 双 频道 光耦合器
应用程序
• 接口 和 联轴器 系统 的 不同的 电位 和 阻抗
• 概述 目的 开关 电路
• 显示器 和 检测 电路
绝对 最大值 额定值
(t
一个
= 25°c 除非 否则 specified)
评级 符号 值 单位
发射器
前进 电流 - 连续 我
f
60 ma
前进 电流 - 峰值 (pw = 100 µs, 120 pps) 我
f
(pk) 1.0 一个
反向 电压 v
右
6.0 v
led指示灯 电源 耗散 @ t
一个
= 25°c
p
d
90 mW
降额 以上 25°c 0.8 mw/°c
检测器
集电极-发射极 电压 v
CEO
30 v
发射器-收集器 电压 v
eco
7.0 v
收集器 电流-连续 我
c
150 ma
检测器 电源 耗散 @ t
一个
= 25°c
p
d
150 mW
降额 以上 25°c 1.76 mw/°c
tot铝 设备
输入-输出 隔离 电压
(1,2,3)
(f = 60 赫兹, 1 最小值 持续时间)
v
iso
2500 vac(rms)
合计 设备 电源 耗散 @ t
一个
= 25°c
p
d
250 mW
降额 以上 25°c 2.94 mw/°c
环境 操作 温度 范围 t
一个
-40 至 +100 °C
存储 温度 范围 t
stg
-40 至 +125 °C
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