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资料编号:556348
 
资料名称:MPSW92
 
文件大小: 83.83K
   
说明
 
介绍:
One Watt High Voltage Transistor(PNP Silicon)
 
 


: 点此下载
 
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
一个 瓦特 电压 晶体管
pnp 硅
最大值 额定值
评级 符号 单位
收集器 发射器 电压 v
CEO
–300 Vdc
收集器 底座 电压 v
CBO
–300 Vdc
发射器 底座 电压 v
EBO
–5.0 Vdc
收集器 电流 — 连续
c
–500 mAdc
合计 设备 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
1.0
8.0
瓦特
mw/
°
c
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
2.5
20
瓦特
mw/
°
c
温度 范围
t
j
, t
stg
55 至 +150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 环境
q
ja
125
°
c/w
热 电阻, 接合点 至 案例
q
jc
50
°
c/w
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性 符号 最小 最大值 单位
关 特性
收集器 发射器 击穿 电压
(1)
(我
c
= –1.0 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
–300 Vdc
collector–base 击穿 电压
(我
c
= –100
µ
adc, 我
e?
= 0)
v
(br)cbo
–300 Vdc
emitter–base 击穿 电压
(我
e?
= –100
µ
adc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
–5.0 Vdc
收集器 截止 电流
(v
cb
= –200 vdc, 我
e?
= 0)
CBO
–0.25
µ
adc
发射器 截止 电流
(v
eb
= –3.0 vdc, 我
c
= 0)
EBO
–0.1
µ
adc
1. 脉冲 测试一下: 脉冲 宽度
v
300
m
s, 职责 循环
v
2.0%.
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 mpsw92/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MPSW92
案例 29–10, 风格 1
to–92 (to–226ae)
1
2
3
摩托罗拉 首选 设备
摩托罗拉, 公司 1998
收集器
3
2
底座
1
发射器
rev 1
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