数据 薄板 1 2004-04-05
PTF080901E
包装 30248
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
36 38 40 42 44 46 48 50
输出 电源 (dbm)
Modulation 规格trum (db)
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
流 效率 (%)
边缘 调制 spectrum performance
V
DD
= 28 v, i
DQ
= 700 毫安, f = 959.8 mhz
Efficiency
400 khz
600 kHz
PTF080901
LDMOSRF电源 地方 效应Transistor
90w,869–960 mhz
特性
• broadband 内部的 相一致
• Typical 边缘 效能
- 平均 输出 电源 = 45 w
- 增益 = 18 db
- 效率 = 40%
• Typical cw 效能
- 输出 电源 在 p–1db = 120 w
- 增益 = 17 db
- 效率 = 60%
• 整体的 静电释放 保护: 人 身体
模型, 类 1 (最小)
• 极好的 热的 稳固
• 低 hci 逐渐变化
• 有能力 的 处理 10:1 vswr @ 28v,
90 w (cw) 输出 电源
静电释放:
静电的 释放 敏感的 device—observe 处理 precautions!
描述
这 ptf080901 是 一个 90W, 内部 matched
GOLDMOS
场效应晶体管 将
为 边缘 和 cdma 产品 在 这 860 至 960 mhz 带宽. 全部 金
敷金属 确保 极好的 设备 存在期 和 reliability.
rf 特性
在 t
情况
= 25°c 除非 否则 表明
边缘 度量
(不 主题 至 生产 test—verified 用 设计/描绘 在 infineon 测试 fixture)
V
DD
= 28V, i
DQ
= 700 毫安, p
输出
= 45W, f = 959.8 mhz
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
错误vector 巨大 evm (rms) — 2.5 — %
调制 spectrum @ 400 khz ACPR — –62 — dBc
调制 spectrum @ 600 khz ACPR — –74 — dBc
增益 G
ps
— 18 — dB
流 效率
η
D
— 40 — %
Two–声调 度量
(测试 在 infineon 测试 fixture)
V
DD
= 28V, i
DQ
= 650 毫安, p
输出
= 90 w peP, f = 960 mhz, 声调 间隔 = 1 mhz
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
增益 G
ps
17 18 — dB
流 效率
η
D
40 42 — %
交调 扭曲量 IMD — –32 –29 dBc
PTF080901F
包装 31248