初步
ts5304d 初步 1-1 2004/09 rev. 一个
TSC5304D
高 电压 npn 晶体管 与 二极管
BV
CEO
= 400v
BV
CBO
= 750v
集成电路 = 4a
v
ce (sat)
, = 1.2v @ 集成电路 / ib = 4a / 1a
订购 信息
零件 否. 填料 包装
tsc5304dch 导管 至-251
tsc5304dcp t&放大器;右 至-252
特点
内置 自由滑行 二极管 使 高效 反
饱和度 操作.
否 需要 至 利息 一个 hfe 值 因为 的 低 变量
存储-时间 传播 甚至 虽然 comer spirit 产品.
低 底座 驱动器 要求.
适合 用于 一半 桥梁 灯光 镇流器 应用程序.
结构
硅 三倍 扩散 类型.
npn 硅 晶体管 与 二极管
块 图表
绝对 最大值 评级
(助教 = 25
o
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 限制 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
750V v
集电极-发射极 电压 v
CEO
400V v
发射器-底座 电压 v
EBO
10 v
直流 4收集器 电流
脉冲
我
c
8
一个
直流 1.5底座 电流
脉冲
我
B
4
一个
合计 电源 耗散 (tc=25
o
c) p
d
35 w
操作 juncti开启 温度 t
j
+150
o
c
操作 接合点 和 storage 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
o
c
热 电阻 接合点 至 案例 右
Θ
jc 6
o
c/w
热 电阻 接合点 至 环境 右
Θ
ja 90
o
c/w
备注: 1. 单独 脉冲, pw = 300us, 职责 <= 2%
管脚 分配:
1. 底座
2. 收集器
3. 发射器
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