>┊
首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号: 
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:57355
 
资料名称:TSC5304DCP
 
文件大小: 88.87K
   
说明
 
介绍:
High Voltage NPN Transistor with Diode
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号TSC5304DCP的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号TSC5304DCP的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号TSC5304DCP的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
初步
ts5304d 初步 1-1 2004/09 rev. 一个
TSC5304D
高 电压 npn 晶体管 与 二极管
BV
CEO
= 400v
BV
CBO
= 750v
集成电路 = 4a
v
ce (sat)
, = 1.2v @ 集成电路 / ib = 4a / 1a
订购 信息
零件 否. 填料 包装
tsc5304dcp t&放大器;右 至-252
特点
内置 自由滑行 二极管 使 高效 反
饱和度 操作.
否 需要 至 利息 一个 hfe 值 因为 的 低 变量
存储-时间 传播 甚至 虽然 comer spirit 产品.
低 底座 驱动器 要求.
适合 用于 一半 桥梁 灯光 镇流器 应用程序.
结构
硅 三倍 扩散 类型.
npn 硅 晶体管 与 二极管
块 图表
绝对 最大值 评级
(助教 = 25
o
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 限制 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
750V v
集电极-发射极 电压 v
CEO
400V v
发射器-底座 电压 v
EBO
10 v
直流 4收集器 电流
脉冲
c
8
一个
直流 1.5底座 电流
脉冲
B
4
一个
合计 电源 耗散 (tc=25
o
c) p
d
35 w
操作 juncti开启 温度 t
j
+150
o
c
操作 接合点 和 storage 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
o
c
热 电阻 接合点 至 案例
Θ
jc 6
o
c/w
热 电阻 接合点 至 环境
Θ
ja 90
o
c/w
备注: 1. 单独 脉冲, pw = 300us, 职责 <= 2%
管脚 分配:
1. 底座
2. 收集器
3. 发射器
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com