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资料编号:577169
 
资料名称:IRFB31N20D
 
文件大小: 190.95K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
参数 最大值 单位
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 31
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 21 一个
dm
脉冲 排水管 电流
124
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散
3.1 w
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 200
线性 降额 因素 1.3 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 30 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
2.1 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
安装 torqe, 6-32 或 m3 螺钉
IRFS31N20D
IRFSL31N20D
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
高 频率 直流-直流 转换器
好处
应用程序
低 栅极至漏极 费用 至 减少
开关 损失
完全 表征 电容 包括
有效 c
开放源码软件
至 简化 设计, (请参见
应用程序. 备注 an1001)
完全 表征 雪崩 电压
和 电流
v
DSS
ds(开启)
最大值
d
200V 0.082
31A
典型 smps 拓扑

电信 48v 输入 前进 转换器
绝对 最大值 额定值
备注

通过
是 开启 第页 11
d
2
Pak
IRFS31N20D
至-220ab
IRFB31N20D
至-262
IRFSL31N20D
pd- 93805b
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