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资料编号:582121
 
资料名称:RN1908
 
文件大小: 178.78K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
 
 


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RN1907~RN1909
2001-06-07
1
toshiba 晶体管 硅 npn 外延 类型 (pct 流程)
rn1907,rn1908,rn1909
开关, 逆变器 电路, 接口 电路
和 驾驶员 电路 应用程序

包括 两个 设备 入点 us6 (超 超级 迷你 类型 与 6 导联)

与 内置 偏差 电阻

简化 电路 设计

减少 一个 数量 的 零件 和 制造业 流程

互补 至 rn2907~rn2909
等效 电路 和 偏差 电阻 数值
(顶部 查看)
最大值 额定值
(助教 = 25

c) (q1, q2 普通)
特性 符号 评级 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
50 v
集电极-发射极 电压
RN1907~1909
v
CEO
50 v
rn1907 6
rn1908 7
发射器-底座 电压
RN1909
v
EBO
15
v
收集器 电流
c
100 ma
收集器 电源 耗散 p
c
*
200 mw
接合点 温度 t
j
150
c
存储 温度 范围
RN1907~1909
t
stg
55~150
c
*: 合计 评级
电子元件工业联合会
EIAJ
toshiba 2-2j1a
重量: 6.8mg
类型 否. r1 (k
)r2 (k
)
rn1907 10
47
rn1908 22
47
rn1909 47
22
单位: mm
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