SBT5401_集成电路资料查询网

kst-2013-000
1
SBT5401
pnp 硅 晶体管
描述
•
概述 目的 放大器
•
高 电压 应用程序
特点
•
高 收集器 击穿 电压 : v
CBO
= -160v, v
CEO
= -150v
•
低 收集器 饱和度 电压 : v
ce(sat)
=-0.5v(最大值.)
•
互补 对 与 sbt5551
订购
信息
类型 否. 标记 包装 代码
SBT5401 NFN sot-23
大纲 尺寸                                          单位 :
mm
s
s
e?
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m
m
我
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c
c
o
o
n
n
d
d
u
u
c
c
t
t
o
o
右
右
管脚 连接
1. 底座
2. 发射器
3. 收集器
2.4
±
0.1
1.30
±
0.1
0.45~0.60
0.4 典型值
2.9
±
0.1
1.12 最大值
0.38
0~0.1
0.124
-0.03
+0.05
3
1
2
1.90 典型值
0.2 最小值

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kst-2013-000 1 SBT5401 pnp 硅晶体管描述 • 概述目的放大器 • 高电压应用程序特点 • 高收集器击穿电压 : v CBO = -160v, v CEO = -150v • 低收集器饱和度电压 : v ce(sat) =-0.5v(最大值.) • 互补对与 sbt5551 订购信息类型否. 标记包装代码 SBT5401 NFN sot-23 大纲尺寸单位 : mm s s e? e? m m 我我 c c o o n n d d u u c c t t o o 右右管脚连接 1. 底座 2. 发射器 3. 收集器 2.4 ± 0.1 1.30 ± 0.1 0.45~0.60 0.4 典型值 2.9 ± 0.1 1.12 最大值 0.38 0~0.1 0.124 -0.03 +0.05 3 1 2 1.90 典型值 0.2 最小值

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