©2000 仙童 半导体 国际的
九月 2000
sgh23n60ufd rev. 一个
IGBT
SGH23N60UFD
SGH23N60UFD
过激-快 igbt
一般 描述
仙童's insulated 门 双极 晶体管(igbt) ufd
序列 提供 低 传导 和 切换 losses.
ufd 序列 是 设计 为 这 产品 此类 作 发动机
控制 和 一般 反相器 在哪里 高 速 切换
是 必需的.
特性
• 高 速 切换
• 低 饱和 电压 : v
ce(sat)
= 2.1 v @ i
C
= 12a
• 高 输入 阻抗
• co-pak, igbt 和 frd : t
rr
= 42ns (典型值.)
绝对 最大 比率
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
注释 :
(1) repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度
热的 特性
标识 描述 SGH23N60UFD 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 600 V
V
GES
门-发射级 电压
±
20 V
I
C
集电级 电流 @ t
C
= 25
°
C23 一个
集电级 电流 @ t
C
= 100
°
C12 一个
I
cm (1)
搏动 集电级 电流 92 一个
I
F
二极管 持续的 向前 电流 @ t
C
= 100
°
C12 一个
I
FM
二极管 最大 向前 电流 92 一个
P
D
最大 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C 100 W
最大 电源 消耗 @ t
C
= 100
°
C40 W
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +150
°
C
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8” 从 情况 为 5 秒
300
°
C
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
(igbt) 热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 1.2
°
C
/
W
R
θ
JC
(二极管) 热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 2.5
°
C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 -- 40
°
C
/
W
应用
交流 &放大; 直流 发动机 控制, 一般 目的 反相器, robotics, 伺服 控制
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至-3p
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C
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