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资料编号:607665
 
资料名称:SI2301ADS
 
文件大小: 39.9K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2301ADS
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71835
s-20617—rev. b, 29-apr-02
www.vishay.com
1
p沟道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
b
0.130 @ v
gs
= –4.5 v –2.0
–20
0.190 @ v
gs
= –2.5 v –1.6
g
至-236
(sot-23)
s
d
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2
3
1
si2301ds (1a)*
*marking 代码
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
ds
–20
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
t
一个
= 25
c –2.0 –1.75
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
b
t
一个
= 70
c
d
–1.6 –1.4
脉冲 排水管 电流
一个
dm
–10
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
b
s
–0.75 –0.6
t
一个
= 25
c 0.9 0.7
电源 耗散
b
t
一个
= 70
c
p
d
0.57 0.45
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 交叉点到环境
b
115 140
最大值 交叉点到环境
c
thja
140 175
c/w
备注
一个. 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
b. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
5 秒.
c. 表面 已安装 开启 fr4 板.
用于 额外的刺激 型号 信息 通过 这 全球 web: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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