Si2301BDS
vishay siliconix
文档 号码: 72066
s-31990—rev. b, 13-oct-03
www.vishay.com
1
p-频道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
b
20
0.100 @ v
GS
=-4.5 v -2.4
-20
0.150 @ v
GS
=-2.5 v -2.0
G
至-236
(sot-23)
S
D
顶 视图
2
3
1
si2301 bds (l1)*
*marking 代号
订货 信息: si2301bds-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 秒 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
-20
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
b
T
一个
= 25
C
I
D
-2.4 -2.2
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
b
T
一个
= 70
C
I
D
-1.9 -1.8
一个
搏动 流 电流
一个
I
DM
-10
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
b
I
S
-0.72 -0.6
电源 消耗
b
T
一个
= 25
C
P
D
0.9 0.7
W电源 消耗
b
T
一个
= 70
C
P
D
0.57 0.45
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
最大接合面-至-包围的
b
R
120 145
c/w
最大 接合面-至-包围的
c
R
thJA
140 175
c/w
注释
一个. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
b. 表面 挂载 在 fr4 板, t
5 秒.
c. 表面 挂载 在 fr4 板.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网:http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm