Si3441BDV
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72028
s-03669—rev.b, 07-apr-03
www.vishay.com
1
p沟道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
-20
0.090 @ v
gs
=-4.5 v
-2.9
-20
0.130 @ v
gs
=-2.5 v -2.45
(4) s
(3) g
(1, 2, 5, 6) d
p沟道 场效应晶体管
tsop-6
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6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
-20
v
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
-2.9
-2.45
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
-2.35 -1.95
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
-16
一个
连续 二极管 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
-1.0 -0.72
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
1.25 0.86
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
0.8 0.55
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
- 55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
5 秒
右
80 100
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
120 145
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
70 85
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
用于 额外的刺激 型号 信息 通过 这 全球web: http://www. vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm.
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