april 2001
初步
2001 仙童 半导体 公司
si3441dv rev 一个 (w)
Si3441DV
p沟道 2.5v 指定 powertrench
场效应晶体管
概述 描述
这个 p沟道 2.5v 指定 场效应晶体管 用途
仙童’s 低 电压 powertrench 流程. 它 有
被 优化 用于 蓄电池 电源 管理
应用程序.
应用程序
•
蓄电池 管理
•
荷载 开关
•
蓄电池 保护
特点
•
–3.5 一个, –20 v. 右
ds(开启)
= 80 m
Ω
@ v
gs
= –4.5 v
右
ds(开启)
= 110 m
Ω
@ v
gs
= –2.5 v
•
低 闸门 费用
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
d
d
d
s
d
g
supersot -6
tm
6
5
4
1
2
3
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 –20 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
8
v
我
d
排水管 电流 – 连续
(备注 1a)
–3.5 一个
– 脉冲 –20
最大值 电源 耗散
(备注 1a)
1.6 wp
d
(备注 1b)
0.8
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 –55 至 +150
°
c
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
78
°
c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
30
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
.441 si3441dv 7’’ 8mm 3000 单位
Si3441DV
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