特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
pwm 优化 为 快 切换 在 小
Footprint
100% r
g
测试
产品
primary 一侧 转变 为 低 电源 直流/直流
转换器
Si3440DV
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72380
s-32412—rev. b, 24-十一月-03
www.vishay.com
1
n-频道 150-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
150
0.375 @ v
GS
= 10 v 1.5
150
0.400 @ v
GS
= 6.0 v 1.4
(1, 2, 5, 6) d
(3) g
(4) s
n-频道 场效应晶体管
tsop-6
顶 视图
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
订货 信息:si3440dv-t1—e3
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
150
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
1.5 1.2
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
1.1 0.8
一个
搏动 流 电流 I
DM
6
一个
单独的 一个valanche 电流
l = 0 1 mh
I
作
4
单独的 一个valanche 活力 (职责 循环
1%)
l = 0.1 mh
E
作
0.8 mJ
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.7 1.0 一个
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.0 1.14
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
1.0 0.59
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
5 秒
R
45 62.5
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
90 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
25 30
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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