特点
极其 低 q
gd
wfet 技术 用于
开关 损失 改进
TrenchFET
发电机 二 电源 场效应晶体管
100% 右
g
已测试
应用程序
低侧 直流/直流 换算
−
笔记本, 服务器, vrm 模块
固定 电信
Si4368DY
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72704
s-40105—rev.一个, 02-二月-04
www.vishay.com
1
n通道 减少 q
g
, 快 开关 wfet
产品 摘要
v
ds
(v)
右
ds(开启)
(
)
我
d
(一个)
30
0.0032 @ v
gs
= 10 v 25
30
0.0036 @ v
gs
= 4.5 v 22
所以-8
sd
sd
sd
gd
5
6
7
8
顶部 查看
2
3
4
1
d
g
s
n通道 场效应晶体管
订购 信息: Si4368DY—E3
Si4368DY-t1—e3 (铅 免费 与 胶带 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
30
v
栅极-源极 v旧 v
gs
12
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
25 17
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
20 13
脉冲 排水管 电流 (10
s 脉冲 宽度)
我
dm
70
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
2.9 1.3
avalanch 电流 l= 0.1 mh 我
作为
50
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
3.5 1.6
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
2.2 1
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 150
c
热 电阻 额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
29 35
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
67 80
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
13 16
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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