特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
100% 右
g
已测试
应用程序
直流/直流 转换器
- 游戏 车站
- 笔记本 pc 逻辑
Si4340DY
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72376
s-31857—rev.一个, 15-9月-03
www.vishay.com
1
双 n通道 20-v (d-s) 场效应晶体管 与 肖特基 二极管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
频道 1
0.012 @ v
gs
= 10 v 9.6
频道-1
20
0.0175 @ v
gs
= 4.5 v 7.8
频道 2
20
0.010 @ v
gs
= 10 v 13.5
频道-2
0.0115 @ v
gs
= 4.5 v 12.8
肖特基 产品 摘要
v
ds
(v)
v
sd
(v)
二极管 前进 电压
我
f
(一个)
20 0.53 v @ 3 一个 2.0
d
1
s
1
d
1
s
1
g
1
d
2
g
2
d
2
所以-14
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12
13
14
顶部 查看
2
3
4
1
g
2
s
2
g
1
s
1
d
1
d
2
n通道 2
场效应晶体管
n通道 1
场效应晶体管
肖特基 二极管
s
2
d
2
s
2
d
2
s
2
d
2
8
9
105
6
7
订购 信息: Si4340DY
si4340dy-t1 (与 t猿 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
频道-1 频道-2
参数 符号
10 秒 稳定 州 10 秒 稳定 州
单位
漏源 电压 v
ds
20
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
16
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
9.6 7.3 13.5 9.5
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
7.7 5.8 10.8 7.5
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
40 50
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
1.8 1.04 2.73 1.30
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.0 1.14 3.0 1.43
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.28 0.73 1.9 0.91
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
频道-1 频道-2 肖特基
参数 符号
Typ 最大值 Typ 最大值 Typ 最大值
单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
53 62.5 35 42 40 48
最大值 交叉点到环境
一个
稳态
右
thja
92 110 72 87 76 93
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳态 右
thJF
35 42 18 23 21 25
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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