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资料编号:607933
 
资料名称:Si4362DY-E3
 
文件大小: 51.47K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号Si4362DY-E3的Datasheet PDF文件第2页
2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
优化 用于 “low side” 同步
整流器 操作
100% 右
g
已测试
应用程序
直流/直流 转换器
同步 整流器
Si4362DY
vishay siliconix
文件号码: 71628
s-40762—rev.e?, 19-apr-04
www.vishay.com
1
n通道 30-v (d-s) 场效应晶体管
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
30
0.0045 @ v
gs
= 10 v 20
30
0.0055 @ v
gs
= 4.5 v 19
所以-8
sd
sd
sd
gd
5
6
7
8
顶部 查看
2
3
4
1
d
g
s
n通道 场效应晶体管
订购 信息: Si4362DY
si4362dy-t1(与 胶带 和 卷轴)
si4362dy—e3 (铅 免费)
Si4362DY-t1—e3 (铅 免费 与 胶带 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
一个
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
30
栅极-源极 v v
gs
12
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
d
20
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
d
15
一个
脉冲 排水管 电流 (10
s 脉冲 宽度)
dm
60
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
s
2.9
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
3.5
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
2.2
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
55 至 150
热 电阻 额定值
一个
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值交叉点到环境
thja
29 35
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管)
thJF
13 16
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板, t
10 秒
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