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Si6963BDQ
vishay siliconix
新建 产品
文件号码:  72772
s-40439—rev.一个, 15-3月-04
www.vishay.com
1
双 p沟道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(

) 我
d
(一个)
20
0.045 @ v
gs
=
−
4.5 v
−
3.9
−
20
0.080 @ v
gs
=
−
2.5 v
−
3.0
Si6963BDQ
d
1
s
1
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g
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2
3
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8
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6
5
d
2
s
2
s
2
g
2
tssop-8
顶部 查看

s
1
g
1
d
1
p沟道 场效应晶体管
s
2
g
2
d
2
p沟道 场效应晶体管
订购 信息:  si6963bdq-t1—e3
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25

c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
−
20
v
栅极-源极 电压 v
gs

12
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150

c)
一个
t
一个
= 25

c
我
d
−
3.9
−
3.4
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150

c)
一个
t
一个
= 70

c
我
d
−
3.1
−
2.7
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
−
30
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
−
1.0
−
0.75
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25

c
p
d
1.13 0.83
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70

c
p
d
0.73 0.53
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 150

c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t

10 秒
右
90 110
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
125 150

c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
67 80
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板.

标　题:
内　容:
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Si6963BDQ vishay siliconix 新建产品文件号码: 72772 s-40439—rev.一个, 15-3月-04 www.vishay.com 1 双 p沟道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管产品摘要 v ds (v) 右 ds(开启) (  ) 我 d (一个) 20 0.045 @ v gs = − 4.5 v − 3.9 − 20 0.080 @ v gs = − 2.5 v − 3.0 Si6963BDQ d 1 s 1 s 1 g 1 1 2 3 4 8 7 6 5 d 2 s 2 s 2 g 2 tssop-8 顶部查看  s 1 g 1 d 1 p沟道场效应晶体管 s 2 g 2 d 2 p沟道场效应晶体管订购信息: si6963bdq-t1—e3 绝对最大值额定值 (t 一个 = 25  c 除非否则已注明) 参数符号 10 秒稳定州单位漏源电压 v ds − 20 v 栅极-源极电压 v gs  12 v 连续排水管电流 (t j =150  c) 一个 t 一个 = 25  c 我 d − 3.9 − 3.4 c连续不断 dra入点current (t j =150  c) 一个 t 一个 = 70  c 我 d − 3.1 − 2.7 一个脉冲排水管电流我 dm − 30 一个连续来源电流 (二极管传导) 一个我 s − 1.0 − 0.75 最大值电源耗散一个 t 一个 = 25  c p d 1.13 0.83 w最大值电源耗散一个 t 一个 = 70  c p d 0.73 0.53 w 操作接合点和存储温度范围 t j , t stg − 55 至 150  c 热电阻额定值参数符号典型最大值单位 mi j ti tAbit 一个 t  10 秒右 90 110 最大值交叉点到环境一个稳定州右 thja 125 150  c/w 最大值接合点-至-脚 (排水管) 稳定州右 thJF 67 80 备注一个. 表面已安装开启 fr4 板.

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