>┊
首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号: 
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:608123
 
资料名称:SI6963DQ
 
文件大小: 98.57K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号SI6963DQ的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号SI6963DQ的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI6963DQ的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SI6963DQ的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
april 2001
2001 仙童 半导体 公司
si6963dq rev. 一个 (w)
Si6963DQ
双 p沟道 2.5v 指定 powertrench

场效应晶体管
概述 描述
这个 p沟道 2.5v 指定 场效应晶体管 是 一个 坚固耐用
闸门 版本 的 仙童 半导体’s 高级
powertrench 流程. 它 有 被 优化 用于 电源
驱动器 电压 (2.5v – 12v).
应用程序
荷载 开关
电机 驱动器
直流/直流 换算
电源 管理
特点
–3.8 一个, –20 v,
ds(开启)
= 0.043
@ v
gs
= –4.5 v
ds(开启)
= 0.070
@ v
gs
= –2.5 v
扩展 v
GSS
范围 (
±
12v) 用于 蓄电池 应用程序
低 闸门 费用
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
低 配置文件 tssop-8 包装
d
1
s
1
s
1
g
1
d
2
s
2
s
2
g
2
tssop-8
管脚 1
8
7
6
5
1
2
3
4
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压
20
v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
12
v
d
排水管 电流 – 连续
(备注 1)
3.8
一个
– 脉冲
30
p
d
电源 耗散
(备注 1a)
1.0 w
(备注 1b)
0.6
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围
55 至 +150
°
c
热 特性
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
125
°
c/w
(备注 1b)
208
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
6963 si6963dq 13’’ 12mm 3000 单位
Si6963DQ
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com