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资料编号:620349
 
资料名称:SPD30P06P
 
文件大小: 112.17K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999-11-22
页 1
SPD30P06P
SPU30P06P
初步的 数据
SIPMOS
电源-晶体管
特性
·
p-频道
·
增强 模式
·
avalanche 评估
·
d
v
/d
t
评估
·
175°c 运行 温度
产品 summary
流 源 电压 V
V
DS
-60
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
0.075
W
持续的 流 电流 一个
I
D
-30
类型 包装 订货 代号
SPD30P06P p-to252 q67042-s4018
SPU30P06P p-to251 q67042-s4019
管脚 1 管脚 2/4 管脚 3
G D S
最大 比率
,在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 UnitValue
-30
-21.5
acontinuous 流 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 100 °c
I
D
搏动 流 电流
T
C
= 25 °c
I
d puls
-120
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
= -30 一个 ,
V
DD
= -25 v,
R
GS
= 25
W
250 mJ
E
avalanche 活力, periodic 限制 用
T
jmax
E
AR
12.5
d
v
/d
t
6
反转 二极管 d
v
/d
t
I
S
= -30 一个,
V
DS
= -48 v,
d
i
/d
t
= 200 一个/µs,
T
jmax
= 175 °c
kv/µs
门 源 电压
V
GS
±20 V
电源 消耗
T
C
= 25 °c
P
tot
125 W
运行 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-55...+175 °C
iec climatic 类别; din iec 68-1 55/175/56
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