©2002 仙童 半导体 公司 rev. a4, 十一月 2002
SS9012
pnp 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
电气 特性
t
一个
=25
°
c
除非 否则 已注明
h
铁
分类
符号 参数 额定值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 -40 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 -20 v
v
EBO
发射器-底座 电压 -5 v
我
c
收集器 电流 -500 ma
p
c
收集器 电源 耗散 625 mW
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 -55 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
收集器-底座 击穿 电压 我
c
= -100
µ
一个, 我
e?
=0 -40 v
BV
CEO
集电极-发射极 击穿 电压 我
c
= -1ma, 我
B
=0 -20 v
BV
EBO
发射器-底座 击穿 电压 我
e?
= -100
µ
一个, 我
c
=0 -5 v
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
= -25v, 我
e?
=0 -100 不适用
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= -3v, 我
c
=0 -100 不适用
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益 v
ce
= -1v, 我
c
= -50ma
v
ce
= -1v, 我
c
= -500ma
64
40
120
90
202
v
ce
(sat) 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
= -500ma, 我
B
= -50ma -0.18 -0.6 v
v
是
(sat) 基极-发射极 饱和度 电压 我
c
= -500ma, 我
B
= -50ma -0.95 -1.2 v
v
是
(开启) 基极-发射极 开启 电压 v
ce
= -1v, 我
c
= -10ma -0.6 -0.67 -0.7 v
分类 d e? f g h
h
FE1
64 ~ 91 78 ~ 112 96 ~ 135 112 ~ 166 144 ~ 202
1. 发射器 2. 底座 3. 收集器
SS9012
1w 输出 放大器 的 potable 收音机 入点
类 b 推拉 操作.
• 高 合计 电源 耗散. (p
t
=625mw)
• 高 收集器 电流. (我
c
= -500ma)
• 互补 至 ss9013
• 优秀 h
铁
线性度.
至-92
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