©2003 硅 存储 技术, 公司
s71233-01-000 8/03
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这 sst 徽标 和 superflash 是 已注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 变更 无 通知.
数据 工作表
特点:
• 单独 2.7-3.6v 阅读 和 写 运营
• 串行 接口 体系结构
– spi 兼容: 模式 0 和 模式 3
• 20 mhz 最大值 时钟 频率
• 上级 可靠性
– 耐力: 100,000 循环次数 (典型)
– 更大 比 100 年 数据 保留
• 低 电源 消费:
– 活动 阅读 电流: 7 ma (典型)
– 备用 电流: 8 µa (典型)
• 灵活 擦除 能力
– 制服 4 kbyte 扇区
– 制服 32 kbyte 覆盖 块
• 快 擦除 和 字节-程序:
– 芯片擦除 时间: 70 ms (典型)
– 部门- 或 块擦除 时间: 18 ms (典型)
– 字节程序 时间: 14 µs (典型)
• 自动 地址 增量 (aai) 编程
– 减少 合计 芯片 编程 时间 结束
字节程序 运营
• 结束-的-写 检测
– 软件 状态
• 保持 管脚 (hold#)
– 暂停 一个 串行 顺序 至 这 记忆
无 取消选择 这 设备
• 写 保护 (wp#)
– 启用/禁用 这 锁-向下 功能 的 这
状态 注册
• 软件 写 保护
– 写 保护 通过 块-保护 比特 入点
状态 注册
• 软件包 可用
– 8-铅 soic (4.9mm x 6mm)
– 8-联系人 wson
产品 描述
sst’s 串行 闪光灯 家庭 特点 一个 四-电线, spi-com-
耐心 接口 那 允许 用于 一个 低 管脚-计数 包装
占用 较少 板 空间 和 最终 降低 合计
系统 费用. sst25vf010 spi 串行 闪光灯 记忆 是
已制造 与 sst’s 专有, 高 业绩
cmos superflash 技术. 这 拆分-闸门 细胞 设计
和 厚-氧化物 隧道 injector 获得 更好 可靠性
和 可制造性 比较 与 备用
方法.
这 sst25vf010 设备 显著 改进 perfor-
mance, 同时 降低 电源 消费. 这 合计
能源 已消耗 是 一个 功能 的 这 已应用 电压,
电流, 和 时间 的 应用程序. 自 用于 任何 给定 电压-
年龄 范围, 这 superflash 技术 用途 较少 电流
至 程序 和 有 一个 较短 擦除 时间, 这 合计 能源
已消耗 期间 任何 擦除 或 程序 操作 是 较少
比 备选方案 闪光灯 记忆 技术. 这
sst25vf010 设备 操作 与 一个 单独 2.7-3.6v
电源 供应.
这 sst25vf010 设备 是 提供 入点 两者都有 8-铅 soic
和 8-联系人 wson 软件包. 请参见 图 1 用于 这 管脚
作业.
1 mbit spi 串行 闪光灯
SST25VF010
sst25vf0101 mb 串行 外围设备 接口 (spi) 闪光灯 记忆
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