线性 综合 系统
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线性 综合 系统
sd-sst211/213/215
n通道 横向
dmos 开关
齐纳 保护
产品 摘要
特点 好处 应用程序
• 超-高 速度 switching—
t
开启
: 1 ns • 高速 系统 业绩 • 快 模拟 开关
• 超-低 反向 电容: 0.2 pf • 低 插入 损失 在 高 频率 • 快 样品-和-持有
• 低 保证
右
ds
@5 v • 低 转让 信号 损失 • 像素-费率 开关
• 低 打开 阈值 电压 • 简单 驾驶员 要求 • dac deglitchers
• n通道 增强功能 模式 • 单独 供应 操作 • 高速 驾驶员
描述
这 sd211de/sst211 系列 由 的 增强模式
mosfets 设计 用于 高 速度 低毛刺 开关 入点 音频,
视频, 和 高频 应用程序. 这 sd211 将 是 已使用
用于
±
5-v 模拟 开关 或 作为 一个 高 速度 驾驶员 的 这 sd214.
这 sd214 是 正常情况下 已使用 用于
±
10-v 模拟 开关. 这些
mosfets 利用 横向 施工 至 实现 低 电容
和 超-快 开关 速度. 一个 综合 齐纳 二极管
提供 esd 保护. 这些 设备 功能 一个 保利-硅
闸门 用于 制造业 可靠性.
用于 类似 产品 请参见: 四边形 array—sd5000/5400 系列, 和
非-齐纳 protection—sd210de/214de.