STP10NB50
STP10NB50FP
n - 频道 500V - 0.55
Ω
- 10.6a - 至-220/至-220fp
PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 右
ds(开启)
= 0.55
Ω
■
极其 高 设计验证/dt 能力
■
100% 雪崩 已测试
■
很 低 内在的 电容
■
闸门 费用 最小化
描述
使用 这 最新 高 电压 MESH 覆盖
流程, 意法半导体 有 设计 一个
高级 家庭 的 电源 MOSFETs 与
未结清 演出. 这 新建 专利
待定 压条 布局 耦合 与 这 Company’s
专有 边缘 终止 结构, 给出 这
最低 rds(开启) 按 面积, 例外 雪崩
和 设计验证/dt 能力 和 unrivalled 闸门 费用
和 开关 特性.
应用程序
■
高 电流, 高 速度 开关
■
开关 模式 电源 供应品 (smps)
■
直流-交流电 转换器 用于 WELDING
设备 和 不间断
电源 供应品 和 电机 驱动器
内部 原理图 图表
October 1999
1
2
3
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STP10NB50
STP10NB50FP
500 v
500 v
&指示灯;0.60
Ω
&指示灯;0.60
Ω
10.6 一个
10.6 一个
绝对 最大值 额定值
符号 参数 值 单位
stP10NB50 STP10NB50Fp
v
ds
漏源 电压年龄 (v
gs
=0) 500 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
=20k
Ω
)
500 v
v
gs
栅极-源极 电压
±
30 v
我
d
排水管 current (连续) 在 t
c
=25
o
c 10.6 10.6(*) 一个
我
d
排水管 current (连续) 在 t
c
= 100
o
c6.46.4(*)一个
我
dm
(
•
) 排水管 current (脉冲) 42.4 42.4 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
=25
o
c 135 40 w
derating 因素 1.08 0.32 w/
o
c
设计验证/dt(
1
) 峰值 二极管 恢复y 电压 坡度 4.5 4.5 v/ns
v
iso
Insulat离子 承受 电压 (直流)
2000 v
t
stg
存储 温度ure -65 至 150
o
c
t
j
最大值 operating 接合点 temperature? 150
o
c
(
•
) pulse 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
≤
10.6 一个, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,tj
≤
t
jmax
(
*
) 有限 仅 由 最大值 温度 允许
至-220 至-220fp
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