sup/sub85n10-10
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71141
s-00172—rev. 一个, 14-二月-00
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n通道 100-v (d-s) 175
c 场效应晶体管
v
(br)dss
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
100
0.0105 @ v
gs
= 10 v
85
一个
100
0.012 @ v
gs
= 4.5 v
85
一个
d
g
s
n通道 场效应晶体管
至-220ab
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gds
排水管 已连接 至 选项卡
至-263
SDG
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sup85n10-10
sub85n10-10
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
100
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 175
c)
t
c
= 25
c
我
d
85
一个
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 175 c)
t
c
= 125
c
我
d
60
一个
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
240
一个
雪崩 电流 我
ar
75
重复性 雪崩 能源
b
l = 0.1 mh e?
ar
280 mJ
最大值 电源 耗散
b
t
c
= 25
c (至-220ab 和 至-263)
p
d
250
c
wmaximum 电源 耗散
b
t
一个
= 25
c (至-263)
d
p
d
3.75
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 175
c
参数 符号 限制 单位
交叉点到环境
pcb 安装 (至-263)
d
右
thja
40
c/w
交叉点到环境
免费 空气 (至-220ab)
右
thja
62.5
c/w
连接至壳体 右
thjc
0.6
备注
一个. 包装 有限.
b. 职责 循环
1%.
c. 请参见 soa 曲线 用于 电压 降额.
d. 当 已安装 开启 1” 方块字 pcb (右前-4 材料).
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