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初步 t15v2M08A
台湾 记忆 技术, 我nc. 储备金 这 右侧
p.1
出版物 日期: 3月. 2001
至 变更 产品 或 规格 无 通知. 修订:0.一个
SRAM
256k x 8 低 电源
cmos 静态 ram
特点
•
低-电源 消费
-活动: 40ma 在55ns
-站台-由:5u一个(cmos 输入/输出)
•
55/70/100 ns 访问权限 时间
•
相等 访问权限 和 循环 时间
•
单独 +2.7v 至3.6v 电源 供应
•
ttl 兼容 , 三-st吃了 输出
•
通信on 我/o 能力
•
自动 电源-向下 当 取消选择
•
可用 入点32-管脚 TSOP-我 (8x20mm) ,
TSOP-我(8x13.4mm) , 48-管脚 csp 软件包
零件 号码 示例
零件 否. 包装 代码
t15V2M08A-55H
t15V2M08A-70P
t15V2M08A-100C
h = tsop-我(8x20)
p= tsop-我(8x13.4)
c = csp
概述 描述
这 T15V2M08A是 一个 很 低 电源
cmos 静态 ram有组织的作为262,144字词 由
8比特.t他的 设备 是 预制 由 高
业绩 cmos 技术. 它 可以 是
操作 下 宽 电源 供应 电压年龄 范围
从 +2.7v 至 +3.6v.
这 t15v2m08a 输入 和 三个-州
产出 是 ttl 兼容 和 允许 用于 直接
接口 与 普通 系统 总线 构筑物.
数据 保留 是 保证 在 一个 电源 供应
电压 作为 低 作为 2v.
块 图表
解码器
A0
A17
我/o8
Vcc
.
.
.
.
.
数据 我/o
核心
阵列
vss
我/o1
我们
oe
CE1
控制
电路
CE2
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