1999. 11. 16 1/2
半导体
技术类 数据
TIP117
外延 平面 pnp 晶体管
修订 否 : 1
单片 施工 与 已建成 入点
基极-发射极 分流器 电阻 工业 使用.
特点
高 直流 电流 增益.
: h
铁
=1000(最小.),
v
ce
=-4v, 我
c
=-1a.
低 集电极-发射极 饱和度 电压.
互补 至 tip112.
最大值 评级 (助教=25
)
昏暗 毫米
1. 底座
2. 收集器 (热量 水槽)
3. 发射器
至-220ab
10.30 最大值
15.30 最大值
0.80
Φ
3.60 0.20
3.00
6.70 最大值
13.60 0.50
5.60 最大值
0.50
1.50 最大值
2.54
4.70 最大值
2.60
一个
B
c
d
e?
f
g
h
j
k
l
m
n
o
p
一个
e?
mm
123
f
B
g
h
l
c
k
j
o
n
p
d
1.37 最大值
1.50 最大值
右
s
q
c
t
q1.50
右 9.50 0.20
s 8.00 0.20
t 2.90 最大值
+
_
+
_
+
_
+
_
电气 特性 (助教=25
)
特性 符号 评级 单位
收集器-底座 电压
v
CBO
-100 v
集电极-发射极 电压
v
CEO
-100 v
发射器-底座 电压
v
EBO
-5 v
收集器 电流
直流
我
c
-2
一个
脉冲
我
cp
-4
底座 电流 直流
我
B
-50 ma
收集器 电源
耗散
Ta=25
p
c
2
w
Tc=25
50
接合点 温度
t
j
150
存储 温度 范围
t
stg
-65
150
特性 符号 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流
我
CEO
v
ce
=-50v, 我
B
=0
- - -2
ma
我
CBO
v
cb
=-100v, 我
e?
=0
- - -1
发射器 截止 电流
我
EBO
v
eb
=-5v, 我
c
=0
- - -2 ma
直流 电流 增益
h
铁
v
ce
=-4v, 我
c
=-1a
1000 - -
v
ce
=-4v, 我
c
=-2a
500 - -
集电极-发射极 维持 电压
v
ceo(sus)
我
c
=-30ma, 我
B
=0
-100 - - v
集电极-发射极 饱和度 电压
v
ce(sat)
我
c
=-2a, 我
B
=-8ma
- - -2.5 v
基极-发射极 开启 电压
v
是(开启)
v
ce
=-4v, 我
c
=-2a
- - -2.8 v
收集器 输出 电容
c
ob
v
cb
=-10v, 我
e?
=0, f=0.1mhz
- - 200 pf
c
B
e?
右
10k
Ω
0.6k
Ω
右
1
2
= =
等效 电路