规格 comparison
vishay siliconix
文档号码: 73004
19-将-04
www.vishay.com
1
tn0200k vs. tn0200t
描述: n-频道 场效应晶体管
包装: sot-23
管脚 输出: 完全同样的
部分 号码 替换:
tn0200k-t1 替代 tn0200t-t1
tn0200k-t1—e3 (含铅的 自由 版本) 替代 tn0200t-t1
summary 的 效能:
这 tn0200k 是 一个 technological upgrade 和 静电释放 保护 为 这 原来的 tn0200t. 这 静电释放 保护 二极管 在 这
门 增加 门-身体 泄漏; 否则 两个都 部分 执行 相（恒）等 包含 限制 至 这 参数 tables 在下.
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 TN0200K TN0200T 单位
流-源 电压 V
DS
20 20
V
门-源 voltage V
GS
8
8
V
持续的 流 电流
T
一个
= 25
C
I
D
0.73 0.73
持续的 流 电流
看 便条
I
D
0.58 0.58
一个
搏动 流 电流 I
DM
4 4
电源 消耗
T
一个
= 25
C
P
D
0.35 0.35
W电源 消耗
T
一个
= 70
C
P
D
0.22 0.22
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
j
和 t
stg
−
55 至 150
−
55 至 150
C
最大 接合面-至-包围的 R
thJA
357 357
c/w
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
TN0200K TN0200T
参数 标识
最小值 Typ 最大值 最小值 Typ 最大值
单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
20 20
V
门-门槛 voltage V
g(th)
0.45 0.6 1.0 0.5 0.9 1.5
V
门-身体 泄漏 I
GSS
5000
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
1 1
一个
在 状态 流 电流
V
GS
= 4.5 v
I
d( )
2.5 2.5
一个在-状态 流 电流
V
GS
= 2.5 v
I
d(在)
1.5 1.5
一个
流 源 在 阻抗
V
GS
= 4.5 v
r
d( )
0.2 0.4 0.29 0.4
流-源 在-阻抗
V
GS
= 2.5 v
r
ds(在)
0.25 0.5 0.34 0.5
向前 transconductance g
fs
2.2 2.2 S
二极管 向前电压 V
SD
0.8 1.2 0.8 1.2 V
动态
总的 门 承担 Qg 1400 2000 1900 2800 pC
门-源 承担 Qgs 190 50
nC
门-流 承担 Qgd 300 750
nC
切换
转变-在 时间
t
d(在)
17 25 8 13
Turn-在时间
t
r
20 30 14 21
ns
转变 止 时间
t
d(止)
55 85 21 30
ns
转变-止 时间
t
f
30 45 7 11
ns denotes 参数 不 指定.
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