tps1100, tps1100y
单独 p沟道 增强模式 mosfets
slvs078c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
1
post 办公室 框 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
d
低 右
ds(开启)
. . . 0.18
Ω
典型值 在 v
gs
= –10 v
d
3 v 兼容
d
需要 否 外部 v
抄送
d
ttl 和 cmos 兼容 输入
d
v
gs(th)
= –1.5 v 最大值
d
可用 入点 ultrathin tssop 包装 (pw)
d
esd 保护 向上 至 2 kv 按
密耳-标准-883c, 方法 3015
描述
这 tps1100 是 一个 单独 p沟道
增强模式 场效应晶体管. 这 设备 有
被 优化 用于 3-v 或 5-v 电源 分布
入点 电池供电 系统 由 手段 的 德州
仪器仪表 linbicmos
流程. 与 一个
最大值 v
gs(th)
的 –1.5 v 和 一个 我
DSS
的 仅
0.5
µ
一个, 这 tps1100 是 这 理想 高侧 开关
用于 低-电压, 便携式 蓄电池-管理
系统 在哪里 最大化 蓄电池 生活 是 一个 主要
关注. 这 低 右
ds(开启)
和 优秀 交流电
特性 (上升 时间 10 ns 典型) 制造 这
tps1100 这 逻辑 选择 用于 低电压
开关 应用程序 这样的 作为 电源 开关 用于
脉冲-宽度-已调制 (pwm) 控制器 或
电机/桥梁 驱动程序.
这 ultrathin 薄 收缩 小轮廓 包装 或
tssop (pw) 版本 与 其 较小 占地面积 和
减少 入点 高度 适合 入点 地点 在哪里 其他
p沟道 mosfets 不能. 这 尺寸 优势
是 尤其是 重要 在哪里 板 真实 estate 是
在 一个 保费 和 高度 限制条件 做 不 允许
用于 一个 小轮廓 综合 电路 (soic)
包装.
可用 选项
已打包 设备
芯片 窗体
t
一个
小 大纲
(d)
塑料 倾角
(p)
芯片 窗体
(y)
–40
°
c 至 85
°
c TPS1100D TPS1100PWLE TPS1100Y
这 d 包装 是 可用 录音 和 卷线. 添加 一个 右 后缀 至 设备 类型 (e?.g.,
tps1100dr). 这 pw 包装 是 可用 仅 左-结束 录音 和 卷线
(显示 由 这 乐 后缀 开启 这 设备 类型; e?.g., tps1100pwle). 这 芯片 窗体
是 已测试 在 25
°
c.
注意事项. 这个 设备 包含 电路 至 保护 其 输入 和 产出 反对 损伤 到期 至 高 静态 电压 或 静电
字段. 这些 电路 有 被 合格 至 保护 这个 设备 反对 静电 放电 (esd) 的 向上 至 2 kv 根据 至
密耳-标准-883c, 方法 3015; 然而, 它 是 建议 那 注意事项 是 已拍摄 至 避免 应用程序 的 任何 电压 较高 比
最大额定值 电压 至 这些 高阻抗 电路.
linbicmos 是 一个 商标 的 德州 仪器仪表 股份公司.
版权
1995, 德州 仪器仪表 股份公司
生产 数据 信息 是 电流 作为 的 出版物 日期.
产品 符合 至 规格 按 这 条款 的 德州 仪器仪表
标准 保修. 生产 加工 是否 不 必然 包括
测试 的 全部 参数.
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6
5
来源
来源
来源
闸门
排水管
排水管
排水管
排水管
d 或 pw 包装
(顶部 查看)
d 包装 pw 包装
来源
排水管
闸门
esd-
保护
电路
备注 一个: 用于 全部 应用程序, 全部 来源 针脚 应该 是 已连接
和 全部 排水管 针脚 应该 是 已连接.
原理图
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