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手机版
资料编号:668286
资料名称:
U6264BDK07
文件大小: 162.96K
说明
:
介绍
:
STANDARD 5K X 8 SRAM
: 点此下载
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8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
april 20, 2004
U6264B
标准 8k x 8 sram
这 u6264b 是 一个 静态 ram 马努-
factured 使用 一个 cmos 流程
技术 与 这 以下内容 ope-
评级 模式:
- 阅读
- 备用
- 写
- 数据 保留
这 记忆 阵列 是 基于 开启 一个
6-晶体管 细胞.
这 电路 是 已激活 由 这 上升
边缘 的 e2 (在 e1
= l), 或 这 坠落
边缘 的 e1
(在 e2 = h). th
e?
地址 和 控制 输入 打开
同时. 根据 至 这
信息 的 w
和 g, 这 数据
输入, 或 产出, 是 活动. 入点 一个
阅读 循环, 这 数据 产出 是
已激活 由 这 坠落 边缘 的 g
,
事后 这 数据 字 阅读 将
是 可用 在 这 产出 dq0 -
dq7. 之后 这 地址 变更, 这
数据 产出 走 高z 直到 这
新建 阅读 信息 是 可用.
这 数据 产出 有 否 首选
州. 如果 这 记忆 是 驱动 由
cmos 级别 入点 这 活动 州,
和 如果 那里 是 否 变更 的 这
地址, 数据 输入 和 控制
信号 w
或 g
, 这 操作 cur-
租金 (在 我
o
= 0 ma) 滴剂 至 这
值 的 这 操作 电流 入点 这
备用 模式. 这 阅读 循环 是
已完成 由 这 坠落 边缘 的 e2 或
w
, 或 由 这 上升 边缘 的 e1
,
分别.
数据 保留 是 保证 向下
至 2 v. 与 这 例外 的 e2, 全部
输入 组成 的 也没有 盖茨, 所以
那 否 拉-向上/拉-向下 电阻
是 必填项. 这个 闸门 电路
允许 至 实现 低 电源
备用 要求 由 激活
与 ttl-级别 太.
如果 这 电路 是 灭活 由
e2 = l, 这 备用 电流 (ttl)
滴剂 至 150
µ
一个 典型值
!
8192 x 8 有点 静态 cmos ram
!
70 ns 访问权限 次
!
普通 数据 输入 和
产出
!
三态 产出
!
典型值 操作 供应 电流
70 ns: 10 ma
!
备用 电流:
&指示灯; 2
µ
一个 在 t
一个
≤
70 °c
!
数据 保留 电流 在 2 v:
&指示灯; 1
µ
一个 在 t
一个
≤
70 °c
!
ttl/cmos-兼容
!
自动 减少 的 电源
耗散 入点 长 阅读 或 写
循环次数
!
电源 供应 电压 5 v
!
操作 温度 范围:
0 至
70
°
c
-40 至
85
°
c
-40 至 125 °c
!
qs 9000 质量 标准
!
esd 保护 > 2000 v
(密耳 标准 883c m3015.7)
!
闩锁 免疫 > 100 ma
!
软件包:
pdip28 (600 密耳)
SOP28
(330 密耳)
管脚 描述
信号 姓名
信号 描述
a0 - a12
地址 输入
dq0 - dq7
数据 入点/出点
E1
芯片 启用 1
E2
芯片 启用 2
g
输出 启用
w
写 启用
VCC
电源 供应 电压
vss
接地
n.c.
不 已连接
管脚 配置
1
n.c.
VCC
28
2
A12
w
(我们
)
27
4
A6
A8
25
5
A5
A9
24
3
A7
e2 (ce2)
26
6
A4
A11
23
7
A3
g
(oe
)
22
8
A2
A10
21
12
DQ1
DQ5
17
9
A1
E1
(ce
1)
20
10
A0
DQ7
19
11
DQ0
DQ6
18
13
DQ2
DQ4
16
14
vss
DQ3
15
PDIP
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SOP
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