eroflex 电路 技术 - 高级 多芯片 模块 © scd3360 rev b 12/17/98
块
图表 – pga 类型 包装(p1,p7) &放大器; cqfp(f2)
512Kx8 512Kx8 512Kx8 512Kx8
ce
4
oe
一个
0
–
一个
18
我/o
0-7
我/o
8-15
我/o
16-23
我/o
24-31
8 8 8 8
ce
3
我们
4
我们
3
我们
2
我们
1
ce
1
ce
2
管脚 描述
我/o
0-31
数据 我/o
一个
0–18
地址 输入
我们
1–4
写 启用
ce
1–4
芯片 启用
oe
输出 启用
v
抄送
电源 供应
地 接地
nc 不 已连接
概述 描述
这 act–s512k32v 是 一个 高
速度 4 兆位 cmos sram
多芯片 模块 (mcm)
设计 用于 已满 温度
范围, 3.3v 电源 补充y,
military, 空间, 或 高 可靠性
质量 记忆 和 快 高速缓存
应用程序.
这 mcm 可以 是 有组织的
作为 一个 512k x 32 比特, 1m x 16
比特 或 2m x 8 比特 设备 和 是
输入 和 输出 ttl
兼容. 写作 是 处决
当 这 写 启用 (我们
)
和 芯片 启用 (ce
) 输入 是
低. 阅读 是 已完成
当我们
是 高 和ce和
输出 启用 (oe
) 是 两者都有
低. 访问权限 时间 等级 的
17ns, 20ns, 25ns, 35ns 和
45ns 最大值 是 标准.
这 产品 是 设计 用于
操作 结束 这 温度
范围 的 -55°c 至 +125°c 和
屏蔽 下 这 已满 军事
环境. desc 标准
军事 图纸 (smd) 零件
编号 是 待定.
这 交流电t-s512k32v 是
已制造 入点 aeroflex’s
80,000ft
2
密耳-prf-38534
已认证 设施 入点 plainview,
n.y.
特点
■
4 低 电源 cmos 512k x 8 srams 入点 一个 mcm
■
总体 配置 作为 512k x 32
■
输入 和 输出 ttl 兼容
■
17, 20, 25, 35 &放大器; 45ns 访问权限 times, 15ns 可用 由
特殊 订单
■
已满 军事 (-55°c 至 +125°c) 温度 范围
■
+3.3v 电源 供应
■
选择 的 表面 安装 或 pga 类型 共烧 软件包:
●
68–lead, 双-cavity cqfp (f2), .88"sq x .20"max (.18"max
厚度 可用, 联系人 工厂 用于 详细信息)
(滴剂 进入 这
68 铅 电子元件工业联合会 .99"sq cqfj 占地面积)
●
66–pin, pga-类型 (p1), 1.38"sq x .245"max
●
66–pin, pga-类型 (p7), 1.08"sq x .185"max
■
内部 解耦 电容器
■
desc smd# 待定
电路 技术
www.aeroflex.com/act1.htm
交流电t-s512k32v 高 速度 3.3电压
16 兆位 sram 多芯片 模块
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