1/41march 2005
m25p10-一个
1 mbit, 低 电压, 串行 flash 记忆
和 50mhz spi 总线 接口
特性 summary
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1 mbit 的 flash 记忆
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页 程序 (向上 至 256 字节) 在 1.4ms
(典型)
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sector 擦掉 (256 kbit) 在 0.8s (典型)
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大(量) 擦掉 (1 mbit) 在 2.5s (典型)
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2.7 至 3.6v 单独的 供应 电压
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spi 总线 兼容 串行 接口
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50mhz 时钟 比率 (最大)
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深的 电源-向下 模式 1
µ
一个 (典型)
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电子的 signature (11h)
– 电子元件工业联合会 标准 二-字节 signature
(2011h)
– res 操作指南, 一个-字节, signature
(10h), 为 backward 兼容性
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更多 比 100,000 擦掉/程序 循环 每
Sector
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更多 比 20 年’ 数据 保持
图示 1. 包装
so8 (mn)
150 mil 宽度
8
1
vdfpn8 (mp)
(mlp8)