mitsubishi lsis
262144-有点 (32768-字 由 8-有点) cmos 静态 ram
MITSUBISHI
电动
m5m5256dfp,vp,rv -70vll-我,-85vll-我,
-70vxl-我,-85vxl-我
'97.4.7
包装
m5m5256dfp : 28 管脚 450 密耳 sop
m5m5256dvp,rv : 28pin 8 x 13.4 mm tsop
•single +3.3±0.3v 电源 供应
•no 时钟, 否 刷新
•data-保持 开启 +2.0v 电源 供应
•directly ttl 兼容 : 全部 输入 和 产出
•three-州 产出 : 或-领带 能力
•/oe 防止 数据 争用 入点 这 我/o 总线
•common 数据 我/o
•battery 备份 能力
•low 备用 current··········0.05µa(典型值.)
应用程序
小 容量 记忆 单位
描述
这 m5m5256dfp,vp,rv 是 262,144-有点 cmos 静态 rams
有组织的 作为 32,768-字词 由 8-比特 哪个 是 预制 使用
高性能 3 多晶硅 cmos 技术. 这 使用 的
电阻 荷载 nmos 细胞 和 cmos 外围 结果 入点 一个 高
密度 和 低 电源 静态 ram. 备用 电流 是 小
够了 用于 蓄电池 备份 应用程序. 它 是 理想 用于 这 记忆
系统 哪个 需要 简单 接口.
尤其是 这 m5m5256dvp,rv 是 已打包 入点 一个 28-管脚 薄
小 大纲 包装.两个 类型 的 设备 是 可用,
m5m5256dvp(正常 铅 弯管 类型 包装),
m5m5256drv(反向 铅 弯管 类型 包装). 使用 两者都有 类型 的
设备, 它 成为 很 容易 至 设计 一个 已打印 电路 板.
功能
管脚 配置 (顶部 查看)
1
24µA
(vcc=3.6v)
(vcc=3.6v)
4.8µa
(最大值)
备用
(最大值)
活动
(最大值)
电源 供应 电流
类型
m5m5256dfp,vp,rv-70vll
访问权限
时间
70ns
25mA
m5m5256dfp,vp,rv-85vll 85ns
m5m5256dfp,vp,rv-70vxl 70ns
m5m5256dfp,vp,rv-85vxl
85ns
2
(vcc=3.0v,
典型)
0.05µa
(vcc=3.6v)
M5M5256DFP
- 我
1
A14
2
A12
4A6
5
A5
6
A4
7
A3
8A2
9A1
10
A0
3A7
11
DQ1
12
DQ2
13DQ3
14
地
28
Vcc
26
A13
25
A8
24 A9
23
A11
21
A10
DQ8
18 DQ7
17
DQ6
16
DQ5
15
DQ4
27
/w
22 /oe
20
/s
19
M5M5256DVP
- 我
1
A14
2
A12
4 A6
5 A5
6 A4
7 A3
3
A7
8A2
9
A1
10
A0
11
DQ1
12
DQ2
13DQ3
14
地
Vcc28
A1326
A825
A924
A11
23
/w
27
/oe
22
A10
21
DQ7 18
DQ6 17
DQ5 16
DQ415
/s
20
DQ8
19
M5M5256DRV
- 我
A14
A12
A6
A5
A4
A3
A7
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
地
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4Vcc
A13
A8
A9
A11
/w
/oe
/s
DQ8
大纲 28p2c-一个 (dvp)
大纲 28p2c-b (drv)
大纲 28p2w-c (dfp)
28
27
25
24
23
22
26
21
20
19
18
17
16
15
1
3
4
5
6
2
7
8
11
12
13
14
9
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