X2816C
1
©xicor, 1995 专利 待定 特性 主题 至 变更 无 通知
3852-1.4 3/27/96 t2/c3/d5 ns
5 电压, 字节 可变 e?
2
舞会
特点
•
90ns 访问权限 时间
•
简单 字节 和 第页 写
—single 5v 供应
—no 外部 高 电压 或 v
pp
控制
电路
—self-定时
—no 擦除 之前 写
—no 复杂 编程 算法
—no 过度擦除 问题
•
高 业绩 高级 nmos 技术
•
快 写 循环 次
—16 字节 第页 写 操作
—byte 或 第页 写 循环: 5ms 典型
—complete 记忆 重写: 640ms 典型
—effective 字节 写 循环 时间: 300
µ
s
典型
•
数据
轮询
—allows 用户 至 最小化 写 循环 时间
•
电子元件工业联合会 已批准 字节宽 引出线
•
高 可靠性
—endurance: 10,000 循环次数
—data 保留: 100 年
描述
这 xicor x2816c 是 一个 2k x 8 e?
2
舞会, 预制 与
一个 高级, 高 业绩 n通道 浮动 闸门
mos 技术. 喜欢 全部 xicor 可编程 nonvola-
瓷砖 回忆 它 是 一个 5v 仅 设备. 这 x2816c
特点 这 电子元件工业联合会 已批准 引出线 用于 字节宽
回忆, 兼容 与 行业 标准 rams,
roms 和 eproms.
这 x2816c 支架 一个 16-字节 第页 写 操作,
通常 提供 一个 300
µ
s/字节 写 循环, 启用 这
整个 记忆 至 是 书面 入点 较少 比 640ms. 这
x2816c 也 特点
数据
轮询, 一个 系统 软件
支持 方案 已使用 至 指示 这 早期 竣工 的
一个 写 循环.
xicor e?
2
proms 是 设计 和 已测试 用于 应用程序-
区域 要求 扩展 耐力. 固有的 数据 re-
张力 是 更大 比 100 年.
16K
X2816C
2048 x 8 有点
管脚 配置
3852 fhd f02.1
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
我/o
0
我/o
1
我/o
2
v
ss
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
v
抄送
一个
8
一个
9
我们
oe
一个
10
ce
我/o
7
我/o
6
我/o
5
我/0
4
我/o
3
X2816C
塑料 倾角
SOIC
3852 fhd f03
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
nc
我/o
0
一个
8
一个
9
nc
nc
oe
一个
10
ce
我/o
7
我/o
6
nc
nc
nc
v
抄送
我们
nc
我/o
1
我/o
2
v
ss
nc
我/o
3
我/o
4
我/o
5
4321323130
14 15 16 17 18 19 20
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
X2816C
PLCC
LCC
: 点此下载
