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p沟道 电源 mos 场效应晶体管
应用程序
dmos 结构
笔记本 pcs
低 开启状态 电阻 : 0.11
Ω
(最大值)
细胞 和 便携式 电话
超 高速 开关
开启 - 板 电源 供应品
sop - 8 包装
李 - 离子 蓄电池 系统
概述 描述
特点
这 xp132a11a1sr 是 一个 p沟道 电源 mos 场效应晶体管 与 低 开启状态
低 开启状态 电阻 :
rds (开启) = 0.065
Ω
( vgs = -10v )
电阻 和 超 高速 开关 特性.
rds (开启) = 0.11
Ω
( vgs = -4.5v )
因为 高速 开关 是 可能, 这 集成电路 可以 是 高效
超 高速 开关
设置 从而 正在保存 能源.
运营 电压 :
-4.5v
这 小 sop-8 包装 使 高 密度 安装 可能.
高 密度 安装 :
sop - 8
管脚 配置
管脚 分配
管脚 号码 管脚 姓名
1 - 3 s 来源
g 闸门
5 - 8 d 排水管
d
等效 电路 绝对 最大值 额定值
Ta=25
o
c
符号 额定值 单位
Vdss - 30 v
Vgss + 20 v
id - 5 一个
我dp - 20 一个
Idr - 5 一个
pd 2.5 w
tch 150
o
c
Tstg - 55 至 150
o
c
p - 频道 mos 场效应晶体管
( 1 设备 内置 )
( 备注 ) : 当 已实施 开启 一个 玻璃 环氧树脂 pcb
功能
4
参数
排水管 - 来源 电压
闸门 - 来源 电压
排水管 电流 (直流)
排水管 电流 (脉冲)
存储 温度
反向 排水管 电流
连续 频道
电源 耗散 (备注)
频道 温度
d
d
s
s
s
g
d
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