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资料编号:732702
 
资料名称:ZHCS506
 
文件大小: 101.09K
   
说明
 
介绍:
SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE “SuperBAT”
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号ZHCS506的Datasheet PDF文件第2页
2
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3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SOT23SILIC开启 高 c电流
肖特基 护栏 二极管 “superbat”
问题 1 - 九月 1997
特点:
低 v
f
高 c电流 capability
应用程序:
直流 - 直流 转换器
移动电话 t电气omms
PCMCIA
partmark 详图:S56
绝对 最大值 ratings.
pa右心房meter symbol v一个lue 单位
60 v
forward 电流(控制不诚实)
f
500 ma
forward v旧 @ 我
f
=500mA v
f
630 mv
平均值 峰值 forward 电流;d.c.= 50%
FAV
1000 ma
非 重复性 前进 电流 t
100
µ
s
t
10ms
FSM
5.5
2.5
一个
一个
电源 耗散 在t
amb
=25°C p
tot
330 mW
存储 温度ure 范围 t
stg
-55 至 + 150 ° c
Junct离子 温度 t
j
125 ° c
电气多里克铝 特性 (在 t
amb
= 25° c除非 否则 声明).
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件.
反向 break陶氏n
电压
v
(br)右
60 80 v
= 200
µ
一个
forward v v
f
275
320
415
550
680
820
1120
565
310
360
470
630
800
960
1350
mv
mv
mv
mv
mv
mv
mv
mv
f
= 50mA*
f
= 100mA*
f
= 250mA*
f
= 500mA*
f
= 750mA*
f
= 1000mA*
f
= 1500mA*
f
= 500ma, t
amb
=100°C*
反向 c电流
20 40
µ
一个
v
=45V
二极管 电容 c
d
20 pf f= 1mhz,v
= 25V
反向 回收
时间
t
rr
10 ns 软件itched 从
f
= 500ma 至 我
= 500mA
已测量 在 我
= 50ma
*已测量 下 脉冲 condit离子.脉冲 width= 30 0
µ
s; 职责 循环
2%.
ZHCS506
1
3
c
1
一个
3
2
SOT23
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