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资料编号:739224
 
资料名称:ZTX656
 
文件大小: 50.95K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号ZTX656的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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典型 特性
v
ce(sat)
v 我
c
c
-
收集器 电流 (安培数)
v
ce
(
sa
t
)
- (v
olts)
c
- 收集器 电流 (安培数)
v
ce
-
收集器 电压 (伏特)
安全 操作 面积
1 100010 100
0.001
0.01
0.1
1
单独 脉冲 测试一下 在 t
amb
=25°C
d.c.
1s
100ms
10ms
1.0ms
300µs
0.01
0.1
101
c
-
收集器 电流 (安培数)
v
是(sat)
v 我
c
v
B
e?
(sat)
-
(
v
o
lts
)
c
/我
B
=10
c
-
收集器 电流 (安培数)
h
v 我
c
h
f
e?
-
《仲裁示范法》
已安装
ga
n
(
%
)
0.01
100.1 1
v
ce
=5V
0.01
100.1 1
0.6
0.8
1.0
1.2
c
/我
B
=10
0.4
c
-
收集器 电流 (安培数)
v
是(开启)
v 我
c
v
B
e?
-
(
v
olts
)
开关 速度
c
-
收集器 电流 (安培数)
开关 时间
0.1
1
B1
=I
B2
=I
c
/10
0.01
ts
tf
td
tr
1.2
1.4
0
ts
µs
2
1
3
td
tr
tf
µs
0.6
0.4
0.2
0.8
1.0
40
60
80
100
20
0
0.01
100.1 1
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
v
ce
=5V
ZT
x
6
5
6
v
ce
=10V
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
1.4
1.6
1.2
1.8
0
ZT
x
65
7
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