BZV55C2V4
直通
BZV55C75
表面 安装
硅 齐纳 二极管
0.5 瓦特, 2.4 直通 75 伏特
±
5% 公差
sod-80 案例
中央
半导体 corp.
tm
r0 ( 13-十一月 2001)
描述:
这 中央 半导体 bzv55c2v4
系列 表面 安装 硅 齐纳 二极管 是 一个
高 质量, 井 已构造, 高度 可靠
组件 设计 用于 使用 入点 全部 类型 的
商业, 工业, 娱乐, 计算机,
和 汽车 应用程序.
齐纳 测试一下 最大值 齐纳 最大值 最大值
类型 否. 电压 电流 阻抗 反向 齐纳
电流 电流
v
z
@ 我
ZT
最小 nom 最大值 我
ZT
z
ZT
@I
ZT
z
ZK
@ 我
ZK
我
右
@ v
右
我
ZM
伏特 伏特 伏特 ma
ΩΩ
ma
µ
一个 伏特 ma
BZV55C2V4 2.280 2.4 2.520 5.0 100 600 1.0 50 1.0 208
BZV55C2V7 2.565 2.7 2.835 5.0 100 600 1.0 20 1.0 185
BZV55C3V0 2.850 3.0 3.150 5.0 95 600 1.0 10 1.0 167
BZV55C3V3 3.135 3.3 3.465 5.0 95 600 1.0 5.0 1.0 152
BZV55C3V6 3.420 3.6 3.780 5.0 90 600 1.0 5.0 1.0 139
BZV55C3V9 3.705 3.9 4.095 5.0 90 600 1.0 3.0 1.0 128
BZV55C4V3 4.085 4.3 4.515 5.0 90 600 1.0 3.0 1.0 116
BZV55C4V7 4.465 4.7 4.935 5.0 80 500 1.0 3.0 2.0 106
BZV55C5V1 4.845 5.1 5.355 5.0 60 480 1.0 2.0 2.0 96
BZV55C5V6 5.320 5.6 5.880 5.0 40 400 1.0 1.0 2.0 89
BZV55C6V2 5.890 6.2 6.510 5.0 10 150 1.0 3.0 4.0 81
BZV55C6V8 6.460 6.8 7.140 5.0 15 80 1.0 2.0 4.0 74
BZV55C7V5 7.125 7.5 7.875 5.0 15 80 1.0 1.0 5.0 67
BZV55C8V2 7.790 8.2 8.610 5.0 15 80 1.0 0.7 5.0 61
BZV55C9V1 8.645 9.1 9.555 5.0 15 100 1.0 0.5 6.0 55
BZV55C10 9.500 10 10.50 5.0 20 150 1.0 0.1 7.0 50
BZV55C11 10.45 11 11.55 5.0 20 150 1.0 0.1 8.0 45
最大值 额定值:
(t
一个
=25°c 除非 否则 已注明)
符号 单位
平均值 前进 电流 我
o
250 ma
峰值 重复性 前进 电流 我
FRM
250 ma
电源 耗散 (t
l
=50°c) p
d
500 mW
操作 和 存储
接合点 温度 t
j
,t
stg
-65 至 +200 °C
电气 特性:
(t
一个
=25°c), v
f
=0.9v 最大值 @ 我
f
=10mA 用于 全部 类型.
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