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n通道 增强功能
模式 垂直 dmos 场效应晶体管
问题 2 – march 94
特点
* 450 伏特 v
ds
*R
ds(开启)
= 50
Ω
绝对 最大值 额定值.
参数 符号 值 单位
漏源 电压 v
ds
450 v
连续 排水管 电流 在 t
amb
=25°C 我
d
90 ma
脉冲 排水管 电流 我
dm
600 ma
栅极-源极 电压 v
gs
±
20
v
电源 耗散 在 t
amb
=25°C p
tot
700 mW
操作 和 存储 温度 范围 t
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
电气 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 声明).
参数 符号 最小值 最大值 单位 条件.
漏源  击穿
电压
BV
DSS
450 v 我
d
=1ma, v
gs
=0V
栅极-源极 阈值
电压
v
gs(th)
1 3 v id=1ma, v
ds
= v
gs
闸门-车身 泄漏 我
GSS
20 不适用
v
gs
=
±
20v, v
ds
=0V
零 闸门 电压 排水管
电流
我
DSS
10
400
µ
一个
µ
一个
v
ds
=450 v, v
gs
=0
v
ds
=405 v, v
gs
=0v,
T=125°C
(2)
开启状态 排水管 电流(1) 我
d(开启)
150 ma v
ds
=25 v, v
gs
=10V
静态 漏源 开启状态
电阻 (1)
右
ds(开启)
50
Ω
v
gs
=10v,我
d
=100mA
前进
跨导(1)(2)
g
fs
100 ms v
ds
=25v,我
d
=100mA
输入 电容 (2) c
国际空间站
70 pf
普通 来源 输出
电容 (2)
c
开放源码软件
10 pf v
ds
=25 v, v
gs
=0v, f=1mhz
反向 转让 电容
(2)
c
rss
4pF
打开 延迟 时间 (2)(3) t
d(开启)
7ns
v
dd
≈
25v,  我
d
=100mA
上升 时间 (2)(3) t
右
7ns
关闭 延迟 时间 (2)(3) t
d(关)
16 ns
坠落 时间 (2)(3) t
f
10 ns
(
1
e?-线
to92 兼容
ZVN0545A
3-357
d
g
s

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n通道增强功能模式垂直 dmos 场效应晶体管问题 2 – march 94 特点 * 450 伏特 v ds *R ds(开启) = 50 Ω 绝对最大值额定值. 参数符号值单位漏源电压 v ds 450 v 连续排水管电流在 t amb =25°C 我 d 90 ma 脉冲排水管电流我 dm 600 ma 栅极-源极电压 v gs ± 20 v 电源耗散在 t amb =25°C p tot 700 mW 操作和存储温度范围 t j :t stg -55 至 +150 °C 电气特性 (在 t amb = 25°c 除非否则声明). 参数符号最小值最大值单位条件. 漏源击穿电压 BV DSS 450 v 我 d =1ma, v gs =0V 栅极-源极阈值电压 v gs(th) 1 3 v id=1ma, v ds = v gs 闸门-车身泄漏我 GSS 20 不适用 v gs = ± 20v, v ds =0V 零闸门电压排水管电流我 DSS 10 400 µ 一个 µ 一个 v ds =450 v, v gs =0 v ds =405 v, v gs =0v, T=125°C (2) 开启状态排水管电流(1) 我 d(开启) 150 ma v ds =25 v, v gs =10V 静态漏源开启状态电阻 (1) 右 ds(开启) 50 Ω v gs =10v,我 d =100mA 前进跨导(1)(2) g fs 100 ms v ds =25v,我 d =100mA 输入电容 (2) c 国际空间站 70 pf 普通来源输出电容 (2) c 开放源码软件 10 pf v ds =25 v, v gs =0v, f=1mhz 反向转让电容 (2) c rss 4pF 打开延迟时间 (2)(3) t d(开启) 7ns v dd ≈ 25v, 我 d =100mA 上升时间 (2)(3) t 右 7ns 关闭延迟时间 (2)(3) t d(关) 16 ns 坠落时间 (2)(3) t f 10 ns ( 1 e?-线 to92 兼容 ZVN0545A 3-357 d g s

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